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BGA工藝一顯露出來，便變成IC封裝的最佳挑選之一。進展直到現在，BGA封裝工藝品類越來越多，不一樣的品類具備不一樣的獨特的地方，工藝流程也不盡相同。同時，隨同著BGA工藝和IC產業的進展，國產封測廠商漸漸登上歷史戲臺。
上百年90時代，BGA（Ball
grid array，球柵陣列或焊球陣列）封裝技術進展迅疾并變成主流的封裝工藝之一。它是一種高疏密程度外表裝配封裝技術，在封裝底部，引腳都成球狀并排列成一個大致相似于格子的圖案，由此起名稱為BGA。
到現在為止主板扼制芯片組多認為合適而使用此類封裝技術，材料多為瓷陶。認為合適而使用BGA技術封裝的內存，可以使內存在大小未變的事情狀況下，內存容積增長兩到三倍。
本文主要內部實質意義為BGA封裝的主要分類及其獨特的地方，BGA封裝工藝流程，以及國產封測廠商三方面。
1、BGA封裝技術分類及獨特的地方
BGA的封裝類型眾多，依據焊料球的排布形式可分為周邊型、交叉型和全陣列型。
依據基板的不一樣主要分為PBGA（Plastic BGA，塑封BGA）、CBGA（Ceramic BGA,，瓷陶BGA）、FCBGA（Filpchip BGA，倒裝BGA）、TBGA（Tape BGA，載帶BGA）。
PBGA封裝
PBGA是最常用的BGA封裝方式，認為合適而使用分子化合物塑料材料和分子化合物塑料工藝制造。其認為合適而使用的基板類型為PCB基板料料（變態天然樹脂/玻璃層壓板），裸芯片通過粘接和WB技術連署到基板頂部及引腳框架后，認為合適而使用注塑成型（環氧氣膜塑混合物）辦法成功實現群體塑模。Intel系列CPU中，Pentium II、III、IV處置器均認為合適而使用這種封裝方式。
焊球材料為低熔點共晶焊料合金63Sn37Pb，直徑約為1mm，間距范圍1.27-2.54mm，焊球與封裝體底部的連署不必額外運用焊料。組裝時焊球熔化，與PCB外表焊板接拼湊，閃現桶狀。
PBGA封裝獨特的地方主要表如今以下四方里面：
1.制造成本低，性價比高。 2.焊球參加再流焊點形成，共面度要求寬松。 3.與環氧氣天然樹脂基板熱般配性好，裝配至PCB時品質高，性能好。 4.對濕氣敏銳，PoPCorn
effect
嚴重，靠得住性存在隱患，且封裝高度之QFP高也是一技術挑戰。 CBGA封裝
CBGA是將裸芯片安裝在瓷陶多層基板載體頂部外表形成的，金屬蓋板用嚴密封閉焊料燒焊在基板上，用以盡力照顧芯片、引線及焊盤，連署好的封裝體通過氣密性處置，可增長其靠得住性和物理盡力照顧性能。Pentium I、II、Pentium Pro處置器均認為合適而使用過這種封裝方式。
CBGA認為合適而使用的是多層瓷陶布線基板，焊球材料為高熔點90Pb10Sn共晶焊料，焊球和封裝體的連署運用低溫共晶焊料63Sn37Pb，認為合適而使用封蓋+玻璃氣封，歸屬氣嚴密封閉裝范疇。
CBGA封裝獨特的地方主要表如今以下六方面：
1.對潮氣不聰明感，靠得住性好，電、熱性能良好。
2.與瓷陶基板CTE般配性好。
3.連署芯片和元件可翻修性較好。
4.裸芯片認為合適而使用FCB技術，互連疏密程度更高。
5.封裝成本較高。
6.與環氧氣天然樹脂等基板CTE般配性差。
FCBGA封裝
FCBGA是到現在為止圖形加速芯片最主要的封裝款式，這種封裝技術始于1960時代，當初IBM為了大型計算機的組裝，而研發出了所說的的C4(Controlled Collapse Chip Connection)技術，隨即進一步進展成可以利用熔化凸塊的外表拉力來支撐芯片的重量及扼制凸塊的高度，并變成倒裝技術的趨勢。
這種封裝運用小球接替起初認為合適而使用的針來連署處置器。總共需求運用479個球，且直徑均為0.78毫米，能供給最短的對外連署距離。FCBGA經過FCB技術與基板成功實現互連，與PBGA的差別就在于裸芯片面朝下。
FCBGA封裝獨特的地方主要表如今以下三方面：
1.特別好的電性效能，同時可以減損組件互連間的傷耗及電感，減低電磁干擾的問題，并承擔較高的頻率。
2.增長I/O的疏密程度，增長運用速率，管用由大變小基板平面或物體表面的大小由大變小30百分之百至60百分之百。
3.散熱性好，可增長芯片在高速運行時的牢穩性。
TBGA封裝
TBGA又叫作陣列載帶半自動鍵合，是一種相對較新而別致的BGA封裝方式。其認為合適而使用的基板類型是PI多層布線基板，焊料球材料為高熔點焊料合金，燒焊時認為合適而使用低熔點焊料合金。
TBGA封裝獨特的地方主要表如今以下五方面：
1.與環氧氣天然樹脂PCB基板熱般配性好。
2.最薄型BGA封裝方式，有幫助于芯片薄型化。
3.相形于CBGA，成本較低。
4.對熱度和濕潤程度，較為敏銳。
5.芯片輕且小，相形其它BGA類型，自校準偏差大。
2、BGA封裝工藝流程
到現在為止，很多芯片封裝都為BGA型，這類封裝的最大長處就是能節省板上面的天空間。最常見的是芯片上進結構，對熱處置要求較高的暢達是運用腔向下的結構。大多數封裝都認為合適而使用芯片鍵合技術將芯片與基板連署起來，并成功實現芯片與基板之間的電連署。BGA也這么，但更多是認為合適而使用倒裝芯片互連技術。認為合適而使用倒裝芯片預設可將散熱片直接與芯片連署起來，達到更好散熱的目標。
PBGA封裝工藝流程
1.PBGA基板的制備
在變態天然樹脂/玻璃芯板的兩面壓極薄（12-18um厚）的銅箔，而后行鉆孔和通孔金屬化，通孔普通位于基板的周圍；再用常理的PWB工藝（壓膜、暴光、顯影、腐刻等）在基板的兩面制造圖形（導帶、電極以及安裝焊球的焊區陣列）；最終形成媒介阻焊膜并制造圖形，露出電極及焊區。
2.封裝工藝流程
圓片減薄→圓片磨削→芯片粘結→清洗→引線鍵合→清洗→模塑封裝→裝配焊料球→回流焊→打標→離合→查緝及測試→包裝
芯片粘結：認為合適而使用充銀環氧氣天然樹脂粘結劑（導電膠）將IC芯片粘結在鍍有Ni-Au薄層的基板上
引線鍵合：粘結固化后用金絲球焊機將IC芯片上的焊區與基板上的鍍Ni-Au的焊區以金線銜接
模塑封裝：用天有石英粉的環氧氣天然樹脂模塑施行模塑包封，以盡力照顧芯片、燒焊線及焊盤。
回流焊：固化在這以后，運用特設預設的吸拾工具（焊球半自動拾放機）將浸有焊藥熔點為183℃、直徑為30mil（0.75mm）的焊料球Sn62Pb36Ag2，還是Sn63Pb37安放在焊盤上，在傳統的回流焊爐外在N2氛圍下施行回流燒焊（無上加工溫度不超過230℃），焊球與鍍Ni-Au的基板焊區燒焊。
TBGA封裝工藝流程
1.TBGA載帶制造
TBGA載帶是由聚酰亞胺PI材料制成的，在制造時，先在載帶的兩面覆銅，繼續沖通孔和通孔金屬化及制造出圖形；而后鍍鎳、金，將帶有金屬化通孔和再散布圖形的載帶瓜分成單體。
封裝熱沉又是封裝的加固體，也是管殼的芯腔基底，因為這個在封裝前先要運用壓敏粘結劑將載帶粘結在熱沉上。
TBGA適應于高I/O數應用的一種封裝方式，I/O數可為200-1000，芯片的連署可以用倒裝芯片再流，也可以用熱壓鍵合。
2.封裝工藝流程
圓片減薄→圓片割切→芯片粘結→清洗→引線鍵合→等離子清洗→液態嚴密封閉劑灌封→裝配焊料球→回流焊→打標→最后查緝→測試→包裝
芯片粘結：全陣列型芯片，用C4工藝；周邊型金凸點芯片，熱壓鍵合。
裝配焊料球：用微焊技術把焊球（10Sn90Pb）燒焊到載帶上，焊球的頂部熔進電鍍通孔內，燒焊后用環氧氣天然樹脂將芯片包封。
FCBGA封裝工藝流程
FCGBA基板制造是將多層瓷陶片高溫共燒成多層瓷陶金屬化基片，再在基片上制造多層金屬布線，而后行電鍍等。
2.封裝工藝流程
圓片凸點的制備→圓片割切→芯片倒裝及回流焊→底部補充→熱傳導脂、嚴密封閉焊料的分配→封蓋→裝配焊料球→回流焊→打標→離合最后查緝→測試→包封
倒裝燒焊：克服了引線鍵合焊盤核心距極限的問題，在芯片的電源/地線散布預設上供給了更多便利，為高頻率、大功率部件供給更完備的信號。
基板挑選：關鍵因素在于材料的熱體脹系數（CTE）、介電常數、媒介傷耗、電阻率和熱傳導率等。
凸點技術：常用的凸點材料為金凸點，95Pb5Sn、90Pb10Sn焊料球（回流焊溫度約為350℃）。技術的關鍵在于當節距由大變小時，務必維持凸點尺寸的牢穩性。焊料凸點尺寸的完全一樣性及其共面性對倒裝焊的符合標準率有莫大的影響。
CBGA封裝工藝流程
相形于PBGA和TBGA，CBGA有點許不一樣，主要表如今三個方面：
1.CBGA的基板是多層瓷陶布線基板，PBGA的基板是變態多層布線基板，TBGA基板是增強環的聚酰亞胺（PI）多層Cu布線基板。
2.CBGA基板下邊的焊球為90百分之百Pb-10Sn百分之百或95百分之百Pb-5Sn百分之百的高溫焊球，而與基板和PWB燒焊的焊料則為37百分之百Pb-63Sn百分之百的共晶低溫焊球
3.CBGA的封蓋為瓷陶，使之變成氣密性封裝；而PBGA和TBGA則為分子化合物塑料封裝，非氣密性封裝。