多層陶瓷電路板以氧化鋁、氮化鋁、玻璃陶瓷為基材，利用同質共燒或低溫共燒工藝，將導電層、介質層、阻抗控制層疊合在數十甚至上百層內部空間，構成高密度互連網絡，高頻損耗低，熱擴散快，適配芯片直接鍵合與系統級封裝，已成為航空航天、毫米波通信、電動車功率模塊的首選基板。其物理致密度達到98%以上，熱導率可達170 W/m·K，耐受–55 ℃至250 ℃循環，應力微裂概率低于10 ppm，保障器件長時穩定。產業鏈從陶瓷粉體成球、帶材流延、絲網印刷、層壓、脫脂、燒結到后段研磨、金屬化、化學鍍鎳金，形成嚴密閉環，材料工程、機械加工、電子設計規則深度交叉，技術壁壘高。

在設計階段，工程師關注介質常數、損耗角和熱膨脹系數匹配，陶瓷基板須與GaN、SiC、GaAs芯片保持±1 ppm/K熱膨脹差，避免焊點疲勞；微波段走線寬高比按3D仿真確定，使|S??|低于–20 dB。信號層與接地層通過貫通孔電鍍銅實現屏蔽，最小通孔直徑40 μm，層間錯位誤差<15 μm。阻抗控制采用厚膜銀鈀漿或銅漿，多次回流燒結后方差控制在3 Ω以內。電源層疊中埋吸熱腔體，結合DBC銅塊，大幅降低結溫，提高模塊壽命。

制造方面，低溫共燒陶瓷（LTCC）流程以玻璃粉輔助，燒結溫度850–900 ℃，可與銀漿共燒；高溫共燒陶瓷（HTCC）以Al?O?粉加TiO?助燒，溫度1550–1600 ℃，機械強度高。流延制成的綠帶厚度控制在50 μm，激光鉆孔形成通孔，再經絲網印刷填充導電漿；多層對位環境濕度<45%，層壓壓力8–10 MPa，真空脫脂防氣泡；燒結升溫速率1–3 ℃/min，恒溫時間依結構而定。后段研磨去除翹曲，表面粗糙度Ra 0.2 μm，為后續真空釬焊提供親合界面。若采用銅漿或厚銅層，則需氫氣還原及惰性氣體燒結，接著電鍍Ni/Au或Ag，兼顧鍵合強度與焊錫潤濕性。

可靠性驗證覆蓋熱沖擊1000 次、電瞬態、機械振動30 g、交變濕熱85 ℃/85%RH 1000 h，剖面X-ray評估共燒缺陷，SAM檢測層間分層，焊料疲勞以IPC-9701標準進行。對航空電子，必須額外通過微震動譜實驗與真空加速壽命試驗；對醫療植入，需ISO 10993生物相容性測試。

應用端正在快速擴展。毫米波天線陣列借助多層陶瓷電路板內嵌相移網絡，實現28 GHz到60 GHz低波束散射；電動車硅碳MOS功率模塊使用多層陶瓷電路板替代DBC功率基板，使晶閘管結溫下降12 ℃；雷達收發機將低噪聲放大器、移相器、PA和電源-地層共封裝于40 × 40 mm模塊，重量降低35%。在高能激光、電源轉換、量子計算控制芯片等場景，多層陶瓷電路板正替代金屬基板，成為高功率密度器件散熱核心。

市場層面，全球多層陶瓷電路板規模2024年突破38 億美元，年復合增長率12.6%，其中亞太占比65%。中國大陸擁有從粉體到整機的完整供應鏈，但高端銀鈀漿料、氮化鋁高導陶瓷依賴進口，國產替代已進入中試；美國與日本保持材料和裝備先發優勢，細分市場中型企業通過專利封鎖維持溢價。投資重點聚焦超薄氮化鋁帶材制備、高散熱金屬化方案及智能檢測裝備。標準方面，IEC正在修訂多層陶瓷電路板可靠性等級，與IPC-4101結合，未來料將納入汽車電子AEC-Q200體系。

技術趨勢顯示，LTCC與有機樹脂協同封裝（HLCC）起步，兼具陶瓷高頻與樹脂柔性；無氧銅直接燒結至AlN表面，提高界面熱阻穩定性；三維微結構打印將復雜空腔、冷卻通道直接集成于多層陶瓷電路板，制程更短，設計自由度更大。Chiplet異構集成需要高密度垂直互連，20 μm-30 μm孔徑乃至激光成型金屬柱正在實裝。綠色制造方面，循環回收粉體、高溫爐余熱利用成為節能重點，燒結過程碳排核算體系正納入ESG報告。

隨著射頻器件功率密度持續飆升與汽車電氣化加速，多層陶瓷電路板憑借優異介電性能、散熱能力、機械強度，將在集成電路先進封裝與功率電子領域扮演不可替代角色，材料工程、設備工藝、設計軟件三方協同，行業壁壘日趨提升，創新窗口正迅速關閉。多層陶瓷電路板將繼續驅動下一代高可靠、高頻、高散熱電子系統躍遷。